BSO033N03MS G參數(shù):MOSFET N-CH 30V 17A DSO-8
類別:分立半導體產(chǎn)品-FET - 單標準包裝:2,500系列:OptiMOS™包裝:帶卷 (TR)FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss):30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時):17A不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 22A,10V不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):124nC @ 10V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):9600pF @ 15V功率 - 最大值:1.56W安裝類型:表面貼裝封裝:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-8